标题:Simultaneously Achieving Large Gate Swing and Enhanced Threshold Voltage Stability in Metal/Insulator/p-GaN Gate HEMT (IEDM2023)
摘要
摘要:对于增强型GaN功率晶体管的发展,栅压摆幅和阈值电压稳定性通常是互相排斥的。本文展…
文章目录 一、官网说明二、更改 IDE 目录的位置1. 转到“帮助”|“编辑自定义属性”2. 各文件位置3. 以PyCharm系统目录为例4. 修改idea.properties 三、清理旧的 IDE 目录 一、官网说明
IDE 使用的目录官网说明
二、更改 IDE 目录的位置 默认情况下,PyCharm 将每…